1700V IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電源R3系列
隨著新能源汽車(chē)和光伏行業(yè)不斷發(fā)展,半導(dǎo)體器件的應(yīng)用不斷擴(kuò)寬,IGBT/SiC MOSFET作為充電樁設(shè)備、光伏SVG系統(tǒng)中的關(guān)鍵半導(dǎo)體器件組成部分,市場(chǎng)對(duì)其應(yīng)用條件和性能提出了更高的要求,隨之也帶來(lái)了對(duì)驅(qū)動(dòng)方案的高要求。
金升陽(yáng)基于自主電路平臺(tái)、IC平臺(tái)、工藝平臺(tái),升級(jí)開(kāi)發(fā)IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品。同時(shí)為滿(mǎn)足更加嚴(yán)苛的應(yīng)用需求,打造了全新的爬電距離滿(mǎn)足1700V系統(tǒng)電源應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品,以期為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
5000VAC高可靠隔離電壓,滿(mǎn)足加強(qiáng)絕緣R3系列驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品基于自主IC設(shè)計(jì)平臺(tái),隔離電壓高達(dá)5000VAC,遠(yuǎn)優(yōu)于市場(chǎng)上常規(guī)產(chǎn)品(3750VAC),且滿(mǎn)足加強(qiáng)絕緣設(shè)計(jì)要求,整體可靠性得到極大提升。
滿(mǎn)足1700VDC長(zhǎng)期絕緣要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)
作為現(xiàn)階段主流的半導(dǎo)體器件,市面上IGBT/SiC MOSFET多為中低壓應(yīng)用,應(yīng)用電壓為650V/900V/1200V/1700V;R3系列驅(qū)動(dòng)電源基于IEC-61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求,實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期絕緣電壓(持續(xù)放電)滿(mǎn)足1700V,應(yīng)用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件;其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是滿(mǎn)足了爬電距離>14.14mm。
多項(xiàng)性能指標(biāo)提升
R3系列驅(qū)動(dòng)電源相較于R1系列產(chǎn)品,整體性能也進(jìn)行了優(yōu)化提升:
1)效率提升:80%→87%
2)紋波下降:75mVpp→50mVpp
3)強(qiáng)帶載能力:220uF→2200uF
4)靜電性能提升:±6kV→±8kV
5)隔離電容降低:6.6pF→3.5pF
產(chǎn)品應(yīng)用
作為IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電源,在產(chǎn)品應(yīng)用上與IGBT/SiC MOSFET應(yīng)用重合,可用于光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等多種場(chǎng)合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅(qū)動(dòng);已光伏SVG系統(tǒng)為例,可配合驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)共同驅(qū)動(dòng)后端的IGBT期間,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的有效運(yùn)行。
產(chǎn)品特點(diǎn)
隔離電壓5000VAC(滿(mǎn)足加強(qiáng)絕緣)
長(zhǎng)期絕緣:1700V
效率高達(dá)87%
超小型SIP封裝
最大容性負(fù)載2200uF
超小隔離電容3.5pF(typ.)
工作溫度范圍:-40℃ to +105℃
產(chǎn)品布局
詳情可參考產(chǎn)品技術(shù)手冊(cè)或咨詢(xún)sales@mornsun.cn

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